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北京市發展和改革委員會等11部門關于北京市推動先進制造業和現代服務業深度融合發展的實施意見

日前,北京市科委、中關村管委會等五部門聯合印發了《北京市創新聯合體組建工作指引》,支持組建一批領軍企業牽頭、高校院所支撐、各創新主體相互協同的創新聯合體,面向高精尖產業需求開展關鍵核心技術、基礎前沿技術聯合攻關,助力北京國際科技創新中心和中關村世界領先科技園區建設。詳情如下,一起來了解。

2月15日,中國半導體行業協會發布嚴正聲明:據海外媒體報道,美國、荷蘭、日本三國政府達成協議,將對中國芯片制造施加新的設備

半導體發光器件是固態顯示與照明技術的共同基礎。近年來,隨著人們對不同類型的發光器件的深入研究,新型顯示與照明技術得到了相

碳化硅作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關速度快、損耗低等特性,使電力電

第三代半導體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬

作為第三代半導體應用的第一個突破口,半導體照明過去近20年的發展是由核心技術的不斷進步和突破帶動,邊開花邊結果,開啟了一個

由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟及其他12家行業組織聯合主辦的2023年第二屆先進半導體領域產教融合人才發展論壇(第八屆國際

2023年2月7-10日,開年盛會,第八屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第十九屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于蘇州勝利召開。

2023年2月10日,第八屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第十九屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于蘇州勝利閉幕。

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料,在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的

律回春暉暖,萬象始更新。被視為全球第三代半導體行業風向標的第八屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第十九屆中國國際半導體照明論

2月8日,第八屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第十九屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在蘇州盛大開幕。在這場被視為全球第三

2022年,全球新冠肺炎疫情此消彼長,俄烏沖突導致地緣政治持續惡化,中美戰略博弈對抗升級,宏觀經濟趨緩,消費市場疲軟,供需關

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國務院新聞辦公室于2月2日下午3時舉行新聞發布會,商務部副部長郭婷婷表示,2023年,我們將切實履行好國務院自由貿易試驗區工作

據預測,到 2026 年,醫療保健、智慧城市服務將使全球 5G 物聯網連接增加到 1.16 億。據稱Juniper Research 的一項新研究預測,

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