2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。
論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、蘇州市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。論壇還得到了來自國內(nèi)以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區(qū)近70家組織機構(gòu)、近90家行業(yè)代表性實力企業(yè)的支持。
期間，“碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)“分論壇如期召開，本屆分論壇由寧波恒普真空科技股份有限公司、勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、德國愛思強股份有限公司、湖北九峰山實驗室、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院協(xié)辦支持。
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經(jīng)理，山東大學(xué)教授陳秀芳，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官宣融，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文，勵德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學(xué)院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團公司第四十六研究所首席專家王英民，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授趙麗麗，廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君，北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛等精英專家們帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院副院長、教授皮孝東分享了4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進展，報告指出，4H-SiC適用于更高頻、更高功率電子器件，碳化硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） 仍然處于研發(fā)階段。超快激光垂直改質(zhì)剝離技術(shù)，剝離過程中發(fā)生裂片成為超快激光切片面臨的關(guān)鍵難題。碳化硅很可能成為應(yīng)用規(guī)模僅次于硅的半導(dǎo)體材料，值得加強其基礎(chǔ)研究和技術(shù)開發(fā)。缺陷和雜質(zhì)研究對半導(dǎo)體碳化硅的發(fā)展至關(guān)重要。
伴隨著SiC材料直徑和質(zhì)量的突破，電力電子器件、光電子等相關(guān)器件應(yīng)運而生，其市場規(guī)模逐年增長。南砂晶圓副總經(jīng)理，山東大學(xué)教授陳秀芳帶來了題為“大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備”的主題報告，分享了8英寸單晶材料進展，報告指出，當(dāng)前8英寸4H-SiC晶體制備難點主要涉及高質(zhì)量8英寸4H-SiC籽晶制備；大尺寸溫度場不均勻和成核過程控制；大尺寸晶體生長體系下氣相物質(zhì)組分輸運效率和演變規(guī)律；大尺寸熱應(yīng)力增大導(dǎo)致的晶體開裂和缺陷增殖。
愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員賈維煒 全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展，報告指出，科研數(shù)據(jù)助力企業(yè)研發(fā)，便于洞察行業(yè)科研動態(tài)及熱點課題，關(guān)注“對標”企業(yè)科研產(chǎn)出信息，快速準確找到科研和生產(chǎn)中遇到問題的解決方案，追蹤領(lǐng)軍科研人物研發(fā)動向，為企業(yè)專利發(fā)表提供科研數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
隨著我國“新基建”和“雙碳”戰(zhàn)略的深入實施，作為關(guān)鍵環(huán)節(jié)的電子系統(tǒng)對半導(dǎo)體元器件技術(shù)提出了高密度、高速度、大功率、低功耗、低成本的需求。中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家王英民分享了碳化硅單晶技術(shù)進展及挑戰(zhàn)，以及中國電科46所研究進展。碳化硅襯底產(chǎn)品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。碳化硅器件優(yōu)勢明顯，EV和光伏產(chǎn)業(yè)需求高速增長，碳化硅襯底成本的持續(xù)降低是下游終端市場提高滲透的關(guān)鍵。
哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長、哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授趙麗麗做了題為“電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索”的主題報告，分享了開展大尺寸/低成本/高良率/產(chǎn)業(yè)化長晶設(shè)備及工藝研究成果，研制出適合 8 英寸碳化硅單晶生長的電阻長晶爐，碳化鉭（TaC）高溫蒸鍍工藝開發(fā)，低純度碳化硅（SiC）粉原料燒結(jié)提純工藝開發(fā)等。
廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授尹君分享了200 mm碳化硅晶體生長仿真，基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過程優(yōu)化。SiC單晶尺寸增大，坩堝內(nèi)的溫場均勻性變差，特別是粉料內(nèi)部，不利于厚晶的生長。坩堝尺寸增大，腔內(nèi)對流加劇，不利于籽晶生長面均勻的氣相傳質(zhì)與生長。報告分享了大尺寸電阻PVT模型構(gòu)建與熱場仿真，大尺寸SiC單晶PVT生長傳質(zhì)過程優(yōu)化，單晶生長演化特性分析及質(zhì)量評價等。
北京工業(yè)大學(xué)副教授陳沛分享了超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究進展與成果，研究采用飛秒激光系統(tǒng)對SiC表面進行預(yù)處理以產(chǎn)生周期性微觀結(jié)構(gòu)（LIPPS），改性表面的力學(xué)財產(chǎn)顯著減弱，iC在表面沉積成Si、SiO2和C。在刮擦過程中，改性表面的材料去除深度提高，切削力也降低。與LSFL相比，HSFL可以產(chǎn)生更寬的切削槽和更好的表面粗糙度。報告指出，未來研究需要控制激光影響的深度，以滿足減薄目標。滯后區(qū)域修改需要快速和統(tǒng)一。激光改性可以應(yīng)用于SiC的隱形切割。
德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理方子文分享了碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案，報告指出GaN和SiC的市場增長是現(xiàn)實，正在改變著功率半導(dǎo)體市場。高吞吐量和低擁有成本滿足了所有傳統(tǒng)和新的生產(chǎn)增長要求。AIXTRON 的GaN 300mm平臺即將發(fā)布，以滿足早期300mm Epi需求，并且供應(yīng)鏈已做好充分準備，以滿足未來幾年的市場需求。