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以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

9月20日，在山西綜改示范區(qū)中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)，施工車輛往來穿梭，挖掘機(jī)、樁機(jī)、鏟車等

9月6-8日，三安半導(dǎo)體攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行業(yè)關(guān)注，展示公司在第三代半導(dǎo)體研發(fā)和商業(yè)化進(jìn)程

走進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈主企業(yè)山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備整齊排列，設(shè)備內(nèi)部超

今年第二季度，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）正式發(fā)布了碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》（Spec

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

8月11日，洪泰Family在社交媒體發(fā)布消息，泰科天潤(rùn)獲得由洪泰基金、高精尖產(chǎn)業(yè)基金等投資機(jī)構(gòu)的數(shù)億元E輪融資，本輪融資將主要用

新科技時(shí)代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動(dòng)駕駛等需求驅(qū)動(dòng)下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來廣闊的發(fā)展前景

三安光電（600703.SH）近日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司現(xiàn)有1200V系列碳化硅二極管和MOSFET，可以應(yīng)用到800V平臺(tái)。其中碳化硅二極

據(jù)悉，近日，江蘇淮安區(qū)舉行碳化硅材料生產(chǎn)項(xiàng)目簽約儀式。碳化硅材料生產(chǎn)項(xiàng)目由該區(qū)委組織部引進(jìn)，香港科挺智能有限公司投資建設(shè)

中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體正式宣布完成新一輪戰(zhàn)略融資，投資方為東風(fēng)汽車旗下直投平臺(tái)東風(fēng)資管。

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測(cè)試方法》已完

由山東大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS

據(jù)北京亦莊消息：近日，北京中電科電子裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱北京中電科）碳化硅全自動(dòng)減薄機(jī)順利交付，并批量市場(chǎng)銷售。據(jù)悉，

科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在開幕致辭中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異性能，在新能源汽車、信息通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。科技部一直高度重視第三代半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從“十五”期間開始給予了長(zhǎng)期持續(xù)支持，建立了從材料、器件到應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力。下一步還將與各地方溝通協(xié)作，加強(qiáng)統(tǒng)籌謀劃和技術(shù)布局，加強(qiáng)人才培養(yǎng)，加強(qiáng)國(guó)際合作，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)有機(jī)銜接，強(qiáng)化以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)。

氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛用于信息化社會(huì)、人工智能、萬物互聯(lián)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、現(xiàn)代醫(yī)療、智能交通、國(guó)防

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，阿爾斯通在華合資企業(yè)江蘇新譽(yù)阿爾斯通牽引系統(tǒng)有限公司（下稱ANP）研發(fā)生產(chǎn)的新一代碳化硅永磁電機(jī)牽

近日，中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的高性能高可靠碳化硅 MOSFET技術(shù)及應(yīng)用成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新

自半導(dǎo)體誕生以來，半導(dǎo)體材料便不斷升級(jí)。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電