以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前景廣闊。封裝對于化合物半導體器件的性能和可靠性至關重要。隨著化合物半導體器件的日益普及和廣泛應用，先進封裝材料、可靠性技術都在不斷的發展提升。
10月12-13日，NEPCON ASIA 2023 期間“2023化合物半導體器件與封裝技術論壇”于深圳國際會展中心（寶安新館）如期舉行。論壇由極智半導體產業網、第三代半導體產業 、中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，江蘇博睿光電有限公司、ULVAC株式會社、托托科技（蘇州）有限公司等單位支持協辦。論壇依托強大背景及產業資源，致力于先進半導體技術推廣、創新應用及產業鏈間的合作，為科研機構、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。
大連理工大學教授王德君，寧波錸微半導體有限公司董事長 江南大學教授敖金平，安徽長飛先進半導體有限公司首席科學家劉紅超，南方科技大學深港微電子學院蔣洋，安徽工程大學副院長、教授林信南，西安電子科技大學教授劉志宏，邁銳斯自動化（深圳）有限公司/MRSI Systems總經理/戰略營銷高級總監周利民，南方科技大學副教授葉懷宇，深圳大學研究員劉新科，江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超博士，工業和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠，ULVAC株式會社市場戰略中心長王禹，香港中文大學（深圳）副研究員冀東，托托科技（蘇州）有限公司董事長吳陽博士，安徽芯塔電子科技有限公司高級產品經理張陽明，山東華光光電子股份有限公司戰略產品部總經理李沛旭，茂碩電源科技股份有限公司總監陸文杭，北京聚睿眾邦科技有限公司（米格實驗室）副總經理朱震等知名企業領袖、專家代表出席論壇，聚焦前沿技術進步與產業創新應用，探討最新進展，促進化合物導體器件與封裝技術發展。
應用需求推動，封裝技術不斷演化提升
當前，化合物半導體器件與封裝技術仍面臨著一些挑戰，主要涉及到器件本身的高性能特性以及封裝技術的應對能力。封裝技術也正在不斷演進。一些新型散熱材料和結構被設計用于更好地滿足高功率器件的散熱需求，而高頻封裝技術的不斷改進使得射頻應用更加可行。此外，可靠性測試和可靠性建模等方法有助于確保高性能化合物半導體器件的長期穩定性。應用需求繼續推動化合物半導體器件封裝技術的進步和發展。
論壇主題報告環節，嘉賓們圍繞著化合物半導體器件與封裝技術等最新進展與發展趨勢分享主題報告，從產業、工藝、應用、趨勢等不同角度展開務實的深入探討交流。大連理工大學教授王德君、南方科技大學副教授葉懷宇共同主持了論壇報告環節。
邁銳斯自動化（深圳）有限公司總經理、MRSI Systems戰略營銷高級總監周利民博士
《化合物半導體芯片封裝需求分析與技術探討》
化合物半導體芯片的封裝需求會根據特定的應用和性能要求而有所不同。封裝是將芯片保護、連接和集成到電路系統中的關鍵步驟。邁銳斯自動化（深圳）有限公司總經理、MRSI Systems戰略營銷高級總監周利民博士帶來了“化合物半導體芯片封裝需求分析與技術探討”的主題報告，分享了化合物半導體芯片組裝挑戰、技術解決方案及應用與市場趨勢，包括化合物半導體芯片/管芯組件，芯片、基板、模具連接材料，工藝與設備多種技術。報告指出，化合物半導體應用市場快速增長，高可靠性、高精度、高速度和高靈活性是裝配趨勢。
安徽長飛先進半導體有限公司首席科學家劉紅超
《生態共攜手，同享碳化硅輝煌未來》
SiC是新能源領域關鍵材料與器件，在新能源車、風光儲等新能源領域都有著 巨大的市場應用前景。中國、歐美日等國家無論是政府還是企業都投入了巨大的人力物力進行研究和產業發展。安徽長飛先進半導體有限公司首席科學家劉紅超帶來了“生態共攜手，同享碳化硅輝煌未來”的主題報告，結合當前供應、競爭與投資格局，分享了SiC產業面臨的技術挑戰，涉及SiC材料、Mobility遷移率等。報告指出，SiC襯底和外延存在各種晶格和形貌曲線，目前的光學檢測手段主要是記錄表面缺陷；各種檢測方法因為成像原理以及算法的差異，導致各種方法間沒有完全可比性。同時如何降低來自襯底和外延中缺陷的技術和設備正備受關注。缺陷帶來良率損失，成熟的AOI設備主要用于檢測晶圓表面缺陷，包括線條形貌、掉落顆粒物等。但SiC晶圓生產過程中，特別是離子注入會產生引起電性能參數以及可靠性問題的晶體 缺陷，目前還缺乏有效檢測手段。
寧波錸微半導體有限公司董事長、江南大學教授敖金平
《氮化鎵微波功率器件的研究與應用》
氮化鎵（GaN）微波功率器件具有高功率密度、高頻率工作、高溫度性能和快速開關速度等諸多優勢，有望在通信、軍事、航空航天和科學研究領域中廣泛應用。寧波錸微半導體有限公司董事長、江南大學教授敖金平帶來了“氮化鎵微波功率器件的研究與應用”的主題報告，分享了相關技術研究進展，報告指出在射頻器件領域，氮化鎵有絕對優勢。射頻功率放大器以外，射頻肖特基二極管呈現綜合性能優勢。基于GaN SBD的RF/DC轉換效率達到80-90%。
安徽工程大學副院長、教授林信南
《650V硅基氮化鎵器件結構與工藝研發》
作為高電壓功率半導體器件，650V硅基氮化鎵（SiGaN）器件結合了硅（Si）和氮化鎵（GaN）材料的特性，具有多種特性和優勢，使其成為高電壓、高功率和高頻率應用的理想選擇，有望推動電力電子領域的創新和發展。安徽工程大學副院長、教授林信南帶來了“650V硅基氮化鎵器件結構與工藝研發”的主題報告，分析了當前器件制造中的問題，從設計、工藝角度分享了解決方案，并提出了器件性能優化的研究成果。其中，提出并優化了一種GFDM AlGaN/GaN器件的制備工藝。通過優化的歐姆接觸步長，不僅獲得了1.07 Ω·mm的極低歐姆接觸電阻值，而且在150mm晶圓上獲得了良好的均勻性。提出了一種新型的柵極和鈍化介質堆疊，由原位生長在in-situ的Si3N4(3 nm)的薄的MOCVD和生長 Si3N4 (30nm)的厚的(LPCVD)組成。
大連理工大學教授王德君
《碳化硅柵氧技術及未來挑戰》
碳化硅（SiC）柵氧技術涉及到在SiC材料上生長氧化物層，以隔離金屬柵極和SiC通道之間的電荷，并在柵極上形成電場以控制通道的電子流。對于制造高性能的碳化硅MOSFET和其他SiC器件至關重要。大連理工大學教授王德君帶來了“碳化硅柵氧技術及未來挑戰”的主題報告，介紹了SiC MOSFET器件可靠性問題、SiC MOS界面缺陷及其物理模擬、SiC半導體界面缺陷測試分析技術 SiC MOS器件高溫柵氧化技術、SiC MOS器件先進柵氧化技術等進展。研究基于表界面缺陷研究，提升SiC MOS器件性能穩定性可靠性，推進測試分析診斷、柵氧/金屬工藝優化、制造技術及裝備、測試技術及儀器等工作。
ULVAC株式會社市場戰略中心/中心長王禹
《碳化硅功率器件制造工藝設備技術進展》
碳化硅（SiC）功率器件的制造涉及一系列工藝步驟和特殊設備，以生產高性能、高功率密度和高溫穩定性的SiC功率器件。ULVAC株式會社市場戰略中心/中心長王禹帶來了“碳化硅功率器件制造工藝設備技術進展”的主題報告，指出SiC市場快速增長的兩大驅動力，一方面是新能源汽車滲透率的加快。另一方面是風能、光伏和儲能拉動SiC器件的需求。產業鏈應該更好的合作，才能共同推動產業的發展。低成本單晶生長，更好的體驗和積累技術，將決定未來市場的發展空間。
江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超博士
《面向高功率器件的超高導熱AlN陶瓷基板的研制及開發》
超高導熱AlN陶瓷基板具有優異的導熱性能和電絕緣性能，能夠有效地傳導和散熱熱量。在高功率電子器件、射頻（RF）和微波器件、光電子器件等多個應用領域發揮著重要作用。江蘇博睿光電股份有限公司副總經理梁超博士帶來了“面向高功率器件的超高導熱AlN陶瓷基板的研制及開發”的主題報告，分享了高導熱AlN陶瓷基板的研究進展，報告指出AlN陶瓷基板的熱導率提升有利于助推其更廣闊的應用前景，面向不同應用場景的AlN基板的定向開發，推動下游封裝技術發展，耦合高性能AlN陶瓷基板與金屬化技術，助力發展高功率密度器件的封裝需求。
工業和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠博士
《GaN功率器件動態導通電阻測試技術研究》
GaN功率器件動態導通電阻測試，有助于了解性能和可靠性，以進一步優化電路設計和應用。測試結果對于高頻、高功率電子應用非常關鍵。工業和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠博士帶來了“GaN功率器件動態導通電阻測試技術研究”的主題報告，報告認為GaN功率器件動態導通電阻問題仍然是限制器件推廣應用的最重要的可靠性問題之一。基于橫向型GaN HEMT動態導通電阻產生的機理出發，團隊制定了基于多次雙脈沖累計應力時間的動態導通電阻測試團體標準，并得到了有效驗證。不同器件結構、不同工藝水平造成的動態導通電阻退化問題區別較大，相關機理仍不清晰，需要投入更多的理論及試驗研究。 工藝提升仍是關鍵，國產GaN功率器件開發過程中一定要注意相關參數的測試評估。長期應用過程中的動態導通電阻退化問題同樣值得關注。
論壇上，圍繞著“碳化硅產業發展瓶頸”，“功率器件與封裝模塊制造”和“降本增效”，”碳化硅及氮化鎵器件產業發展趨勢“等話題，在王德君教授的主持下，王德君教授、周利民總經理、梁超博士、賀致遠總師、葉懷宇博士、林信南教授、王禹博士與現場觀眾展開積極務實的探討，從不同的角度分享，互動交流碰撞，帶來不同視角的信息與啟發。
論壇為期兩天，明日精彩繼續！更多論壇信息，敬請關注半導體產業網、第三代半導體產業！
(備注：上述信息僅根據報告嘉賓現場分享整理，未經其本人確認，如有出入敬請諒解！)