“智慧健康照明技術及應用”主題分會上，來自南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心（南昌實驗室）、朗德萬斯、江西省應用光學技術重點實驗室、金鑒實驗室、勤上光電、升譜光電、同方股份等實力派代表性企業機構的嘉賓們帶來精彩報告
近日，北京市經濟和信息化局發布了北京市第六批專精特新小巨人企業和第三批專精特新小巨人復核通過企業名單。順義區第三代半導體
國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。
武進國家高新區—常州大學化合物半導體創新聯合體正式簽約揭牌
萬業企業與國家第三代半導體技術創新中心簽署戰略協議
2024年6月24日，全國科技大會、國家科學技術獎勵大會、兩院院士大會在京召開，黨和國家領導人出席大會并為獲獎代表頒獎。據悉，2
國家新能源汽車技術創新中心與長城汽車股份有限公司共同揭牌成立“車規級芯片聯合實驗室”
新華社北京5月30日電 國務院總理李強日前簽署國務院令，公布《國務院關于修改〈國家科學技術獎勵條例〉的決定》(以下簡稱《決定
4月16日，國家重點研發計劃單片集成GaN基可調控Micro-LED發光器件研究項目啟動暨實施方案論證會在濟南召開。山東大學副校長蘆延
晶能微電子項目：廠房建設按下快進鍵昨天上午，走進位于嘉興國家高新區（高照街道）唯勝路與八字路段的晶能微電子項目建設現場，
據國家知識產權局公告，北京大學取得一項名為一種AlGaN基深紫外發光二極管器件結構及其制備方法，授權公告號CN114373837B，申請
3月26日，2024臨港科創大會在上海臨港（600848）中心隆重召開。在市委市政府、臨港管委會各位領導的見證下，長三角國家技術創新
據國家知識產權局公告，清華大學申請一項名為半導體裝置的制備方法、半導體裝置和電子設備，公開號CN117766402A，申請日期為2023
集成電路作為支撐國家經濟社會發展的戰略性、基礎性、先導性產業近年來也備受關注。
據國家知識產權局公告，海信家電集團股份有限公司申請一項名為半導體裝置，公開號CN117650166A，申請日期為2023年10月。專利摘要
2月23日，記者從中國政府網獲悉，國務院任免國家工作人員，任命單忠德為工業和信息化部副部長。單忠德，1970年1月出生，山東高密
2024年1月30日，中機新材董事長陳斌專程拜訪山東大學徐現剛教授。此次會面，雙方不僅進行了深度的交流，更在多個領域達成了共識。
據云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃戰略性科技創新合作重點專項基于第三代
1月19日上午，國家工程師獎表彰大會在人民大會堂舉行，81名個人被授予國家卓越工程師稱號，50個團隊被授予國家卓越工程師團隊稱
2024年1月16日消息，據國家知識產權局公告，華為技術有限公司申請一項名為構件、晶體管器件、功率器件及制造構件的方法，公開號C