?2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心牽頭起草的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》已形成委員會(huì)草案，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專題研討會(huì)，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會(huì)草案已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務(wù)理事及理事單位。 ? T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。可應(yīng)用于以下器件： a)??? GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件； b)??? GaN集成功率電路； c)??? 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。 ? T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景。可應(yīng)用于以下器件： a)??? GaN增強(qiáng)型分立電力電子器件； b)??? GaN集成功率電路； c)??? 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案
發(fā)表于：2024-07-30
來(lái)源：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯：