近日，西安電子科技大學廣州研究院第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN（氮化鎵）電力電子芯片量產技術研發(fā)方面取得突破性進展。 

西安電子科技大學廣州研究院李祥東團隊與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設計與制造、可靠性加固、高硬度材料封測等整套量產技術，成功開發(fā)出閾值電壓超過2V、耐壓達3000V的6英寸藍寶石基增強型e-GaNHEMTs晶圓，展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。相關研究內容刊發(fā)于新出版的由IEEE Electron Device Letters（國際電子技術與信息科學工程師協(xié)會）主辦的《電子器件通信》上，并入選封面highlight論文。 

在該項目的研究中，西安電子科技大學廣州研究院還研發(fā)成功了8英寸GaN（氮化鎵）電力電子芯片。其相關內容發(fā)表在由IEEE Transactions on Electron Devices主辦的《電子器件學報》上，并被國際著名半導體行業(yè)雜志Semiconductor Today（《今日半導體》）專題報道。該研究結果在國際上首次證明了8英寸藍寶石基GaNHEMTs晶圓量產的可行性，并打破了傳統(tǒng)GaN技術難以同時兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國際難題，將有望推動≥1200V中高壓氮化鎵電力電子技術實現(xiàn)變革。 

轉自：中國電子報