4月8日，安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過2億元融資，由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺，擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線，擴充銷售及其他人才團隊，增加營運現(xiàn)金流儲備等。

安建半導(dǎo)體是一家從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計、研發(fā)及銷售的公司，其現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。安建半導(dǎo)體官方消息顯示，公司擁有由香港科技大學(xué)教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導(dǎo)體研究的美國電子電氣工程師學(xué)會院士（IEEE Fellow）所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團隊。

據(jù)悉，安建半導(dǎo)體目前已推出1200V-17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。

安建半導(dǎo)體指出，其早于2019年即在國內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術(shù)，是國內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識產(chǎn)權(quán)。

2023年9月，安建半導(dǎo)體官宣近期將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產(chǎn)廠家。

（來源：集微）