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攻克多項關鍵技術難題,河北這項技術在第三代半導體材料上“彎道超車”

發表于:2024-01-18 來源:半導體產業網 編輯:

?位于科技大廈西展廳,700多平方米的河北科技創新展示服務大廳中,展示著我省百余件最新科技成果,這些展品創新點在哪兒、應用場景有哪些?河北省科技成果展示交易中心搭建起云展臺,每日更新介紹展廳內的創新展品,方便技術需求方及社會公眾了解我省創新科技成果。

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今天介紹的創新展品是——河北同光半導體股份有限公司研發的碳化硅晶片。

河北同光半導體股份有限公司主要進行碳化硅單晶襯底的研發和生產,目前已經攻克了“高純碳化硅原料合成”“晶型和結晶質量控制”“籽晶特殊處理”等多個關鍵技術難題,掌握了“高品質、低缺陷碳化硅單晶襯底”制備技術并實現技術成果轉化,產品品質比肩國際先進水平。

該公司研發的碳化硅單晶襯底直徑已涵蓋4英寸、6英寸、8英寸等不同尺寸,具有“寬禁帶”“耐擊穿”的特點。

碳化硅晶片根據電阻率的不同,可分為半絕緣型和導電型兩種。

半絕緣型襯底主要應用于微波射頻器件領域,適用于5G通信等高頻、高溫工作環境。導電型襯底主要應用于電力電子器件領域,適用于電動汽車中的逆變器、電機驅動器等高溫、高壓工作環境。

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