?氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件。GaN功率器件技術在多個領域都具有廣泛的應用前景，可以提高系統效率、減小體積，并推動電力電子技術的發展。

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，英諾賽科歐洲總經理Denis Macron分享了《高性能GaN功率器件高可靠性和低成本》的主題報告，GaN功率器件使功率轉換系統（AC/DC、DC/DC等）比硅功率器件更小、更高效、更簡單，從而更便宜，從而徹底改變了功率半導體行業。然而，關于GaN功率器件仍然存在一些神話，比如它們非常昂貴，可靠性值得懷疑。

報告介紹了通過利用規模經濟，8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產硅晶片上的8英寸GaN（即，相對于6英寸，每片晶片約2倍的器件），可以提供具有價格競爭力的GaN功率器件。同時介紹了innoscience的最新可靠性結果，包括失效測試和壽命提取，這將消除關于GaN功率器件可靠性的最后一個懸而未決的問題。通過展示如何利用離散（InnoGaN?) 和集成（SolidGaN?) Innoscience GaN功率器件增強了AC-DC和DC-DC轉換器的性能，以最大限度地提高其效率，同時減小其尺寸。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）