?半導體產業網訊：第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)將于2023年5月28-6月1日在中國香港舉辦。香港科技大學陳敬(Kevin J. Chen)教授擔任本屆大會主席（General Chair）。
ISPSD從1988年至今，已經有30多年的歷史。30多年來，ISPSD極大的推動了全球功率半導體器件和功率集成電路的發展。
作為IEEE旗下的功率半導體旗艦會議，ISPSD涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應用等功率半導體領域的所有方面，是功率器件領域最具影響力和規模最大的頂級國際學術會議，也是功率半導體器件和集成電路領域在國際上最重要、影響力最強的頂級學術會議，它被認為是功率半導體器件和集成電路領域的奧林匹克會議，一直以來都是國內外半導體產業界龍頭企業和全球知名學術科研機構爭相發表和展示功率半導體前沿技術重要成果的舞臺。
今年，香港科技大學陳敬（Kevin J. Chen）教授擔任“第35屆功率半導體器件和集成電路國際會議(ISPSD 2023)”大會主席。他曾在國際期刊和會議論文集中發表500余篇論文，其中包括國際電子器件會議IEDM發表28次. 在GaN電子器件技術方面曾獲得11項美國專利授權。他所帶領的科研團隊目前的研究重點在于開發用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環境電子等方面的GaN器件及集成電路技術。
陳敬教授是IEEE Fellow，2013年陳敬教授曾擔任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術匯刊》及《日本應用物理雜志》的編輯。
陳敬教授曾于2019年擔任在上海舉辦的IEEE第31屆國際功率半導體器件和集成電路研討會ISPSD2019的（Technical Program Committee，TPC）技術委員會主席，今年擔任 ISPSD 2023大會主席（General Chair）。
值得關注的是，隨著中國功率半導體器件及集成電路產業的發展，ISPSD 2019會議在2019年5月20-25在上海成功召開。曾由浙江大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，由中國電機工程學會技術主辦，IEEE電氣和電子工程師協會、IEEE電子器件學會、IEEE電力電子協會、IEEE工業應用協會和日本電氣工程師協會協辦。大會共收到論文299篇，其中oral paper的錄取率為16%。ISPSD2019由浙江大學盛況教授擔任大會主席（General Chair），電子科技大學張波教授擔任大會副主席（Vice General Chair）；香港科技大學陳敬（Kevin J. Chen）教授擔任技術程序委員會（Technical Program Committee，TPC）主席。
ISPSD 2019是該會議自1988年發起以來首次在中國大陸舉辦，標志著中國大陸電力電子器件的研究和產業水平在國際上產生了越來越重要的影響力，也說明中國大陸學者在電力電子領域扮演和承擔著重要的角色。
同時，這是ISPSD會議舉辦35年以來第三次在中國召開，第一次是2015年在香港，第二次是2019年在上海。今年ISPSD 2023選擇在中國香港舉辦，更加體現了中國學者在電力電子領域所做的努力和貢獻！
正如，大會主席陳敬教授在致辭中所言，ISPSD 2023即將來到香港，這個全球金融中心和文化大熔爐為每個人提供了一些東西。香港位于中國大灣區的中心地帶，是一座充滿活力的現代化城市，融合了世界文化和自然美景，為與會者提供了多種探索機會。
—— ISPSD 2023 會議議題——
ISPSD 2023會議議題分為以下六個方向：高壓功率器件（High Voltage Power Devices）、低壓功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成電路（Power IC Design）、氮化鎵與化合物材料：器件和技術（GaN and Compound Materials: Device and technology）、碳化硅與其他材料（SiC and Other Materials）、模塊與封裝工藝（Module and Package Technologies）。
在六大議題中，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體（也就是中國大陸常說的第三代半導體）器件以其獨特優勢在近年來引發了國內外產業界和學術界的關注，在材料生長、制造工藝與應用等領域蓬勃發展，被認為是下一代電力電子器件和功率集成電路的重要發展方向。憑借其優異的性能（如更高的擊穿電壓、更高的熱導率、更高的電子飽和速率和更優異的抗輻射能力），寬禁帶半導體電力電子器件在新能源汽車、分布式并網、新型直流輸配電網、數據中心、航空航天和消費類電子等諸多領域都有著廣泛的應用前景。
—— 論文入選情況 ——
據芯思想統計數據顯示，ISPSD 2023共收到233篇論文，經過技術委員會評審，共錄取104篇，包括口頭報告43篇，海報張貼61篇（有一篇取消），實際103篇。
入選的103篇論文來自12個國家的機構，按國家入選數量統計排名（按第一作者所在國家統計），中國是入選論文數量最多的國家，口頭報告12篇，海報張貼33篇，共入選45篇論文。日本入選論文數量排名第二，美國第三，德國第四，瑞士和意大利并列第五，法國第七，奧地利和加拿大并列第八，英國、韓國、馬來西亞并列第十。
——中國入選論文情況 ——
據芯思想統計數據顯示，今年ISPSD 2023，中國是入選論文數量最多的國家，共入選45篇論文，其中入選口頭報告12篇（內地10篇，中國香港2篇），占比27.91%；入選海報張貼33篇（內地27篇，中國香港3篇，中國臺灣2篇，中國澳門1篇），占比54.10%。
2023年中國共有16家機構有論文入選ISPSD，澳門大學和西交-利物浦大學是第一次有論文入選。
電子科技大學共有15篇論文入選，功率集成技術實驗室入選（PITeL）13篇，其他2篇來自新器件研究室。電子科技大學功率集成技術實驗室（PITeL）以口頭報告4篇，9篇海報論文，合計13篇一作論文入選ISPSD2023，再次摘取團隊論文數量第一名！這是團隊自2017年以來，第六次（2017年、2018年、2019年、2020年、2022年、2023年）獲得一作論文錄取數第一名！功率集成技術實驗室（PITeL）的13篇論文分布在氮化鎵（GaN）專題1篇，高壓功率器件（HV）專題4篇，功率集成設計（ICD）專題2篇，低壓功率器件（LVT）專題 4篇，碳化硅（SiC）專題2篇；其中涉及氮化鎵（GaN）相關研究進展3篇。電子科技大學新器件研究室2篇海報論文的一作是程駿驥副教授。程駿驥博士在中國科學院院士、IEEE FELLOW陳星弼先生指導下于2012年2013年連續在ISPSD發表2篇論文。
香港科技大學入選2篇口頭報告和3篇海報論文，共計5篇入選。其中陳敬教授團隊4篇，都是氮化鎵（GaN）的相關研究進展；單建安教授團隊1篇快恢復二極管（FRD）的相關研究進展。
北京大學有1篇口頭報告和2篇海報論文，共計3篇入選，都是氮化鎵（GaN）相關論文，是集成電路學院魏進、王茂俊課題組與物理學院沈波、楊學林課題組合作的工作成果。
南方科技大學有1篇口頭報告和2篇海報論文，共計3篇入選，都是來自化夢媛課題組的氮化鎵（GaN）相關的工作成果。
中國科技大學入選2篇口頭報告，1篇是氮化鎵（GaN）相關論文，1篇是氧化鎵（Ga2O3）相關論文，都來自龍世兵、徐光偉課題組的工作成果。
南京大學入選1篇口頭報告和1篇海報論文，共計2篇入選。口頭報告是來自陸海課題組氮化鎵（GaN）相關的工作成果，海報論文是來自葉建東課題組有關氧化鎵（Ga2O3）異質結的工作成果。
西安電子科技大學入選1篇口頭報告和1篇海報論文，來自西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊馬曉華教授、李園副教授課題組的相關工作成果，分別介紹了增強型氧化鎵（β-Ga2O3）金屬異質結復合場效應晶體管和熱電協同設計的氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關研究進展。
浙江大學入選2篇海報論文，1篇是楊樹教授課題組的氮化鎵（GaN）的相關研究進展，1篇是盛況教授、任娜研究員課題組碳化硅（SiC）的相關研究進展，都來自電氣工程學院。
中國科學院微電子研究所入選2篇海報論文，都來自劉新宇團隊黃森、蔣其夢課題組有關氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
安徽大學入選2篇海報論文，1篇是氮化鎵（GaN）相關論文，1篇是碳化硅（SiC）相關論文，都是物質科學與信息技術研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學院胡存剛教授、曹文平教授課題組合作的工作成果。這是安微大學繼2022年后連續第二年有論文入選。
東南大學入選2篇海報論文，都來自功率集成技術實驗室孫偉鋒教授團隊，一篇是GaN功率IC，一篇是關于SOI-BCD。
深圳大學入選1篇海報論文，來自材料學院劉新科研究員團隊有關氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
澳門大學入選1篇海報論文，來自澳門大學模擬與混合信號超大規模集成電路國家重點實驗室路延副教授課題組有關功率集成設計（ICD）的最新研究成果。這是澳門大學在ISPSD會議上入選的第一篇論文。
西交利物浦大學入選1篇海報論文，這是西交利物浦大學在ISPSD會議上入選的第一篇論文，來自劉雯副教授團隊有關氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺灣陽明交通大學國際半導體產業學院入選1篇海報論文是有關氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺灣清華大學入選1篇海報論文是關于碳化硅（SiC）的相關研究進展。
—— ISPSD 2023 程序委員會——
ISPSD 2023大會由香港科技大學陳敬（Kevin J. Chen）教授擔任大會主席（General Chair）；臺積電蔡俊林（Tom J.-L Tsai）擔任技術程序委員會（Technical Program Committee，TPC）主席，浙江大學楊樹教授擔任短期課程（Short Course Chair）主席。
ISPSD 2023技術程序委員會（TPC）共有60位委員，其中華裔委員共有18位，占30%；他們分別是大會主席陳敬（香港科技大學）、TPC主席Tom Tsai（臺積電TSMC）、高壓功率器件分議題主席Fred Fu傅玥（加拿大Xiinergy Systems），其他華裔委員還有湯藝（女，斯達半導體）、喬明（電子科技大學）、Kuo Ming Wu（臺積電）、Xin Lin（美國NXP）、明鑫（成電）、Weijia Zhang（女，加拿大ADI）、Leon Wang（豪威）、楊樹（女，浙大）、周弘（西電）、Roy K.-Y. Wong黃敬源（英諾賽科）、Tom J.-L Tsai蔡俊林（臺積電）、Huili Grace Xing（女，美國康奈爾大學）、柏松Song Bai（中電科55所）、Chih-Fang Huang黃智方（臺灣清華大學）、Cheng-Tyng Yen顏誠廷（即思創意FSS）、Wei-Chung Lo駱韋仲（臺灣工研院ITRI）、Yang Xu（特斯拉），其中喬明、Xin Lin、Leon Wang、周弘、黃敬源、顏誠延是本次新增委員。
—— 參會報名——
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
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備注：根據ISPSD 2023官方公布信息、芯思想等公開信息整理，一切以會議現場為準。
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ISPSD2023-Short-Course-bio-abstract-20230411.pdf
?? ISPSD2023-Short-Course-Schedule-20230412.pdf