CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告

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核心提示：由東南大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS技術(shù)報(bào)告制定流程，經(jīng)過(guò)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見(jiàn)、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS

?由東南大學(xué)牽頭制定，遵循CASAS技術(shù)報(bào)告制定流程，經(jīng)過(guò)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見(jiàn)、委員會(huì)草案投票等流程，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS/TR 003—2022《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》于2022年12月9日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

作為第三代半導(dǎo)體器件的重要代表，氮化鎵（GaN）功率器件憑借優(yōu)異的材料性能，在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領(lǐng)域（如數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)、分布式支電、各類(lèi)消費(fèi)電子等）具有十分廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)機(jī)遇。然而，受器件表面陷阱及緩沖層陷阱的影響，目前主流的GaN器件仍然面臨著高壓開(kāi)關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)電阻退化問(wèn)題，這為基于GaN器件的電力電子變換器設(shè)計(jì)和損耗估算帶來(lái)了不確定性。

本報(bào)告梳理了GaN HEMT動(dòng)態(tài)電阻上升的產(chǎn)生機(jī)理，分析了相關(guān)影響因素；匯總了動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試電路；希望通過(guò)本報(bào)告的編寫(xiě)，器件制造商和器件應(yīng)用工程師可對(duì)動(dòng)態(tài)電阻的機(jī)理及測(cè)試有更加深入的了解，并能在此基礎(chǔ)上結(jié)合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)展進(jìn)一步討論，發(fā)掘出更多更詳盡、完善的技術(shù)解決方案，形成更多的產(chǎn)業(yè)共識(shí)，從而幫助正確評(píng)估動(dòng)態(tài)電阻引起的系統(tǒng)性能和可靠性問(wèn)題。

T/CASAS/TR 003—2022《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》包含以下內(nèi)容：a造成動(dòng)態(tài)電阻的機(jī)理解釋匯總；b造成動(dòng)態(tài)電阻的影響因素匯總；c動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試電路匯總。通過(guò)本報(bào)告，器件制造商和器件應(yīng)用工程師可對(duì)動(dòng)態(tài)電阻的機(jī)理及測(cè)試有更加深入的了解，從而幫助其解決動(dòng)態(tài)電阻引起的系統(tǒng)可靠性問(wèn)題。

報(bào)告下載地址：

http://www.casa-china.cn/uploads/soft/221209/12_1115589461.pdf

【主要起草單位】

東南大學(xué)、浙江大學(xué)、南方科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、大連理工大學(xué)、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、深圳智芯微電子科技有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【主要起草人】

李勝、董澤政、汪青、李祥東、黃火林、銀杉、劉雯、賀致遠(yuǎn)、王欽、宋亮、王祥、高偉。

東南大學(xué)“智能功率集成芯片與系統(tǒng)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)