直播預告| 強芯沙龍第二期來襲！專家名企聚焦氮化鎵功率半導體材料與器件！
第三代半導體產業
以服務產業、引領行業、傳遞企業聲音的為自己的使命，促進產學研用合作以及跨界應用的開放協同創新，推動產業生態體系的建設，關注跟蹤和培育擁有自主知識產權、知名品牌和市場競爭力強的優勢企業，推動第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展。
? ? ? ?半導體產業網訊：好消息！強芯沙龍第二期來襲！云端論劍·創“芯”之道——第三代半導體產業發展策略沙龍將于6月22日（本周三）15:00開播，本期將聚焦：氮化鎵功率半導體材料與器件！
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??近年來隨著國內半導體產業新建產能及擴產速度加快，疊加新冠疫情造成物流運輸服務受阻導致國外材料供應、零部件交期不斷延遲，為我國一些具有高成長潛力的國內半導體材料零部件企業帶來國產替代的機會。然而，我國半導體材料零部件產業作為進行技術追趕的后發產業，除了要彌補在基礎工藝研究投入和專業人才培養上的差距外，由于半導體材料零部件行業本身的特點，與國外領先企業競爭時還面臨諸多挑戰。當前，國際龍頭企業大力完善產業布局，強化競爭優勢，沿產業鏈上下游延伸趨勢日益明顯，全產業鏈布局進一步提升了其競爭優勢。在這種形勢下，國內企業如何破局是需要國內產業界必須思考和面對的問題。
》》》第一期好評如潮
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??強芯沙龍活動，是由半導體產業網策劃主辦，主要邀請第三代半導體產業鏈條“產學研用資”多方高層代表參與云端對話，把脈產業發展現狀，尋“芯”問道，促進合作！強芯沙龍的初衷也是為大家行業提供一個有益的交流平臺，希望通過一期期的有益探討，能為業界帶來更多有價值的信息。
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? ? ? ?強芯沙龍第一期：碳化硅功率器件與工藝專場得到了爍科晶體李斌總經理，泰科天潤董事長、總經理陳彤博士，國宏中宇趙然總經理，中車科學家劉國友博士，中科創星董事總經理盧小保先生的大力支持，會后我們回訪收到了諸多反饋，紛紛點贊直播參與嘉賓資深，討論的問題和嘉賓回答都十分到位！經過嘉賓討論分享，更能加速觀眾行業認知，傳遞行業真實聲音，反應產業真實現狀，產業鏈上下游間的信息傳播更為實際、更貼近市場。
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? ? ? ?觀眾涵蓋第三代半導體碳化硅產業鏈企業、知名高校院所、投融資機構、基金公司、學生、媒體等。有投資人反饋，強芯沙龍嘉賓和主持人討論的問題很深入，主持人問的和嘉賓回答的都十分精彩，比去有些企業現場盡調還要好。有研究機構分析師表示：“強芯沙龍太贊了，我要再去看回看，嘉賓分享的信息很有價值，省的跑去企業調研了。>>>第一期點擊回看
》》》第二期如約而至
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??6月22日（周三）15：00-17:00，強芯沙龍第二期聚焦：氮化鎵功率半導體材料與器件！本期特別邀請到：北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波教授，香港科技大學講座教授(Chair Professor)陳敬教授，晶湛半導體創始人、董事長兼總裁程凱博士，英諾賽科產品應用副總經理陳鈺林先生，并邀請第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰博士擔任特邀嘉賓主持人。
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??值得關注的是，ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大溫哥華舉行。功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD）是功率半導體器件和集成電路領域在國際上最重要、影響力最強的頂級學術會議，它被認為是功率半導體器件和集成電路領域的奧林匹克會議，一直以來都是國內外半導體產業界龍頭企業和全球知名學術科研機構爭相發表和展示功率半導體前沿技術重要成果的舞臺。近幾年來，隨著政府支持和社會投入力度的不斷加大，我國在功率半導體領域取得可喜的進步，并得到國際同行的認可。陳敬教授（Kevin J. Chen）擔任ISPSD 2022大會副主席。同時還將擔任下一屆ISPSD 2023大會主席。屆時，陳敬教授將分享《從ISPSD2022 看氮化鎵功率電子的發展》為題的引言報告。
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》》》本期針對性討論問題：
??1、GaN HEMT不同技術路線的分析，各自優缺點，適用于不同的可靠性要求、成本控制？
??2、GaN功率器件不同應用市場的發展情況，GaN的效率與Si比有多少提升，成本方面相差多少？目前在快充、數據中心的應用情況如何？
??3、GaN功率器件在手機和新能源汽車領域的應用前景如何？GaN在OBC DCDC上是否有性能和系統成本優勢？
??4、臺積電在發展Si基GaN代工模式并不斷擴充產能，國內還是以IDM為主，哪種方式更適合國內未來發展？目前6英寸和8英寸的綜合成本和性能如何，12英寸發展的時間表？
??5、GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技術發展趨勢和產業化可能性的判斷？
? ? ? ?6、GaN 功率器件最新技術進展，相較于Si和SiC目前來看，競爭力對比；價格和成本進展；目前制約的因素是哪些？Si上GaN在射頻領域的推進情況和難點；相較于傳統的平面結構，垂直結構的前景.......等等。（直播間可在線向嘉賓提問）
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》》》本期嘉賓簡介：
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》》引言報告嘉賓：
陳敬教授
香港科技大學講席教授
??陳敬教授1988年獲得北京大學學士學位，并通過CUSPEA項目于1993年獲得美國馬里蘭大學帕克分校博士學位。他的行業實踐經歷包括在日本NTT LSI實驗室和美國安捷倫科技從事化合物半導體高速器件技術研發工作。
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??陳敬教授自2000年起在香港科技大學任教，現為電子和計算機工程系正教授。他曾在國際期刊和會議論文集中發表500余篇論文，其中包括國際電子器件會議IEDM發表28次. 在GaN電子器件技術方面曾獲得11項美國專利授權。他所帶領的團隊目前的研究重點在于開發用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環境電子等方面的GaN器件及集成電路技術。
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??他是IEEE Fellow， 2013年陳敬教授曾擔任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術匯刊》及《日本應用物理雜志》的編輯。陳敬教授曾于2019年擔任在上海舉辦的IEEE第31屆國際功率半導體器件和集成電路研討會ISPSD2019的技術委員會主席，并將于2023年在深圳舉行的第35屆ISPSD2023擔任大會主席。
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》》對話嘉賓：
沈波?教授
北京大學理學部副主任、
寬禁帶半導體研究中心主任、教授
??沈波教授，現任北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、物理學院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“半導體照明”重點專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、國家“戰略性先進電子材料”重點專項總體專家組成員。
??1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 寬禁帶半導體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計劃、863計劃和自然科學基金重點項目等20多項國家級科研課題。迄今發表學術論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發明專利50多件，先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。部分研究成果實現了產業化應用，并產生了顯著的經濟和社會效益。
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》》對話嘉賓：
程凱博士
晶湛半導體創始人、董事長兼總裁
??程凱博士，現任蘇州晶湛半導體有限公司董事長、總裁,從事科研工作近20年。2002年畢業于清華大學電子工程系,獲本科和碩士學位,2003年留學比利時,進入魯汶大學和歐洲微電子研究中心(imec)聯合培養博士項目。2007年獲得中國國家優秀自費留學生獎學金,2008年獲得電子工程博士學位。隨后在imec獲得永久職位,任資深科學家,致力于氮化鎵外延材料、器件設計等方面的研發。在國外期間,共申請國際發明專利15項,已授權8項,共發表論文108篇,文章引用過千次。
??程凱在業界第一次制備出6英寸和8英寸硅上氮化鎵電力電子材料，是業界公認的硅上氮化鎵外延技術的開拓者之一。2012年3月，程凱選擇回國創業，創立晶湛半導體，致力于關鍵寬禁帶半導體--氮化鎵（GaN）外延材料的研發和產業化。晶湛半導體也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商。擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案。目前已在國內外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權。在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有完全獨立的自主知識產權。
??2014年底，晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，填補了國內氮化鎵產業的空白。2021年9月，晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業內廣泛關注。2022年4月8日，蘇州晶湛半導體有限公司發布了其面向微顯示產業應用的Full Color GaN??全彩系列外延片產品，并將LED外延片尺寸成功拓展至300mm。
》》對話嘉賓：
陳鈺林先生
英諾賽科產品應用副總經理
??陳鈺林先生，現任英諾賽科產品應用副總經理，曾供職于美國EPC公司7年，屬于國內第一批推廣氮化鎵的技術人才，擁有17年電力電子半導體行業經驗和11年氮化鎵器件應用及市場推廣經驗。在氮化鎵技術與應用等方面有著豐富的經驗和敏銳的市場洞察力，已與國內多家重大客戶建立了深入的合作伙伴關系。
??英諾賽科科技有限公司作為國內第三代半導體硅基氮化鎵領域頭部企業，成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業，現擁有珠海、蘇州、深圳三大公司地點。公司成功建成投產全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產生產線，主要產品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。受惠于高、低壓GaN產品出貨量大幅增長，英諾賽科快充產品首次進入一線筆電廠商供應鏈。與此同時，其蘇州8英寸晶圓廠已步入量產階段，IDM模式優勢將在GaN產業高速發展中逐步顯現。
??目前，英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力，主要產品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，并被廣泛應用于激光雷達、數據中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED燈照明驅動等領域。英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產能已達到每月10000片，并將逐漸擴大至每月70000片以上。迄今為止，英諾賽科器件出貨量已超百萬顆，而因器件性能或可靠性問題的返廠率為0%。
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-2022年度“十四五”國家重點研發計劃啟動，新型顯示與戰略性電子材料等24個重點專項指南
【推薦活動】
今年是山西省將2022年確定為“創新生態建設提質年”，并重點實施八大提質行動，啟動國家第三代半導體技術創新中心（山西）建設。八大舉措分別為聚焦高水平科技供給、聚焦高起點平臺培育、聚焦高質量市場主體倍增、聚焦高價值成果推廣、聚焦高標準政策創設、聚焦高素質人才培育、聚焦高品質民生服務、聚焦高層次科技展會。恰逢其時，第十七屆全國MOCVD學術會議將于8月16-19日在山西太原召開，會議征文同步啟動！
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本屆大會是在國家科學技術部指導下，由中國有色金屬學會、中國科學院半導體研究所、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦，半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京第三代半導體材料及應用工程技術研究中心、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，山西大學、中北大學、山西師范大學等單位協辦支持。》》》點擊查看詳情
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