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總投資1億歐元,愛思強新研發中心揭牌

發表于:2024-12-17 來源:半導體產業網 編輯:

12月13日,德國沉積設備商愛思強宣布,其位于德國黑措根拉特(Herzogenrath)創新研發中心正式揭牌。

圖片來源:愛思強

項目總投資1億歐元(約合人民幣7.6億元),于2023年11月正式奠基建設。創新研發中心專為氮化鎵和其他化合物半導體應用向12英寸晶圓發展而設計。

愛思強表示,研發中心具有1000㎡的潔凈室,將為化合物半導體行業往12英寸晶圓發展奠定基礎。

愛思強總裁兼首席執行官 Felix Grawert 博士表示,憑借創新中心新的潔凈室,公司將進一步擴大在技術市場上的領先地位。目前,愛思強已經擁有了首批12英寸氮化鎵原型設備,設備已被集成到多家客戶的試驗生產線中。

值得注意的是,2024年前三季度,愛思強營收約4.064億歐元(約人民幣31.42億元),其中氮化鎵和碳化硅電力電子設備業務快速成長,訂單量持續增長。

展望2025年,愛思強曾表示,氮化鎵和碳化硅電力電子設備上的增長驅動力依然穩固。

另外,愛思強也仍看好未來Micro LED業務的發展前景。愛思強曾表示,LED行業仍在進行Micro LED技術的研究,公司收到了幾家正在建設研發和試點生產線客戶的訂單。

愛思強表示,預計未來Micro LED首批應用市場將是智能手表、AR/VR 眼鏡、電視和汽車應用。多個客戶正在考慮在2027年或2028年開始提高Micro LED產量。

隨著此次愛思強創新研發中心的建成,未來愛思強研發能力將進一步提高,提升設備新品性能,推動其在第三代半導體、Micro LED等領域發展布局,穩固愛思強在沉積設備領域的地位。(LEDinside Irving編譯)

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