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國宇電子功率器件項目簽約揚州

發(fā)表于:2024-11-15 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

11月13日,據(jù)“揚州經(jīng)開區(qū)發(fā)布”消息,揚州經(jīng)開區(qū)近日簽約央企合作項目2個,總投資36億元,其中包括一個功率器件項目——揚州國宇電子功率芯片項目。

據(jù)了解,國宇電子功率芯片項目總投資11億元,其中一期項目投資5.8億元,設備投資3億元,計劃利用現(xiàn)有國宇電子廠區(qū)內(nèi)土地擴建分立器件功率芯片生產(chǎn)線,建設6英寸功率FRED芯片生產(chǎn)線,規(guī)劃年產(chǎn)能48萬片,達產(chǎn)后預計年開票10億元,年凈利潤1.4億元,納稅5000萬元;項目二期規(guī)劃生產(chǎn)IGBT、硅基GaN等高功率半導體芯片。

公開資料顯示,揚州國宇電子有限公司成立于2006年,是國基南方集團有限公司控股公司,是一家集產(chǎn)品設計、制造和銷售為一體的分立器件功率芯片制造商。

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