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沈波教授將出席第十屆國際第三代半導體論壇并做大會報告| IFWS 2024前瞻

發表于:2024-11-08 來源:半導體產業網 編輯:

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2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進半導體技術應用創新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心舉辦。?

北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波將出席論壇,并將帶來《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》的大會報告。?

大失配外延技術在氮化物第三代半導體材料中的應用顯著提升外延質量,推動材料和器件的產業化應用,進一步拓展其在各個領域的應用前景。沈波教授團隊在該領域有著深入的研究,比如通過大失配異質外延技術,發明了有效提升外延質量的圖形化藍寶石襯底新技術和外延生長新方法,制備出部分質量指標國際領先的氮化物半導體外延材料等。報告將分享相關研究進展與成果,敬請期待!

嘉賓簡介

沈波1

沈波

北京大學教授、理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任

沈波,1963年7月出生于江蘇揚州市,先后在南京大學、中國科技大學和日本東北大學獲得學士、碩士和博士學位, 并在東京大學從事博士后研究。現為北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、教育部長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創新研究群體帶頭人。曾任國家973計劃項目首席科學家、863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長。現為國家十四五計劃 “新型顯示和戰略性先進電子材料” 重點專項專家組副組長兼第三代半導體方向專家組組長,并擔任國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長,享受國務院特殊津貼。

1995年迄今一直從事GaN基第三代半導體材料、物理和器件研究,在GaN基薄膜和量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 GaN基射頻和功率電子器件、AlGaN基深紫外發光材料和器件等方面取得了在國內外同行中有一定影響的研究成果。先后主持了20多項國家、地方和企業科研項目,發表SCI收錄論文380多篇,出版中英文專著4部,獲得/申請國家發明專利80多件,在國內外學術會議做邀請報告30多次。先后與華為、京東方、彩虹集團、北方華創、廣東光大集團等開展技術合作, 部分成果實現了產業化應用。先后獲國家技術發明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。

參會聯系

大會總體日程1105

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