技術(shù)分會(huì)：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)

Technical Sub-Forum：SiC Substrate & Epitaxial Growth and Equipment

時(shí)間：2024年11月20日08:50-11:55

地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 ? G103-104

Time: Nov 20, 08:50-11:55

Location:?Suzhou International Expo Centre ? G103-104

協(xié)辦支持

Co-organizer

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北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.

AIXTRON

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司

Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

蘇州思體爾軟件科技有限公司

Suzhou STR Software Technology Co. Ltd.

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）

National Center of Technology Innovation for Wide Bandgap Semiconductors (Suzhou)

主持人

Moderator ???

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徐現(xiàn)剛/XU Xiangang

山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)

Director of State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University

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Victor VELIADIS

美國(guó) PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授 ?、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席

Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW ( IEEE Wide Bandgap Power Semiconductor Technology Roadmap Committee)

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馮淦/FENG Gan

瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司總經(jīng)理

GM of GM of Epiworld International Co., Ltd.

08:50-09:00

嘉賓致辭 & 合影 /?Opening?Address?& Group Photo Shooting

09:00-09:20

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SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長(zhǎng)工藝條件的改進(jìn)SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT Growth

Won-Jae LEE——韓國(guó)東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)

Won-Jae LEE——Professor of Dong-Eui University,?Director of Busan Power Semiconductor Lab.

09:20-09:40

碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects

陳秀芳——山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事

CHEN Xiufang——?Professor of Shandong University, Chair of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

09:40-10:00

面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案

NAURA Solutions for SiC Power Devices

張軼銘——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司博士?

Dr Zhang Yiming——Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd

10:00-10:15

茶歇/Coffee Break

10:15-10:35

硅晶圓廠中的SiC制造

SiC Fabrication in a Silicon Fab

Victor VELIADIS——美國(guó)電力執(zhí)行董事 &?CTO、ICSCRM2024大會(huì)主席、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席

Victor VELIADIS——Executive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW

10:35-10:55

化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)解決方案

High Volume Manufacturing of Compound Semiconductors Epitaxy

方子文——AIXTRON中國(guó)總經(jīng)理

FANG Ziwen——GM of AIXTRON China

10:55-11:15

提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶

Single-crystal 4H silicon carbide grown with the method of pulling physical vapor transport

皮孝東——浙江大學(xué)教授、?浙江材孜科技有限公司董事長(zhǎng)

PI Xiaodong——Professor of Zhejiang University，President of Zhejiang IVSEMITEC Co.,Ltd

11:15-11:35

PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備

AMEC PRISMO PDS8 CVD System for Epitaxial Growth of SiC Power Device

陳丹瑩——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師

CHEN?Danying——Process Chief engineer of Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China)

11:35-11:55

大直徑碳化硅外延市場(chǎng)發(fā)展與挑戰(zhàn)

Large diameter SiC epitaxy market development and challenges

張國(guó)良——河北普興電子科技股份有限公司市場(chǎng)總監(jiān)

ZHANG Guoliang——Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD

11:55-14:00

午餐 /?Lunch