以AlGaN材料為基礎(chǔ)的固態(tài)紫外（UV）光源，是氮化物光電子發(fā)展的重要方向和熱點(diǎn)領(lǐng)域，以紫外發(fā)光二極管（UV-LED）為代表，AlGaN基固態(tài)紫外光源在紫外固化、生物醫(yī)療、以及殺菌消毒等方面具有重要價(jià)值。

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。?本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

除了重量級開幕大會，論壇設(shè)有五大熱點(diǎn)主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會和先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。目前，“氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會”最新報(bào)告日程正式出爐。組委會特邀請廈門大學(xué)特聘教授康俊勇、中國科學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心主任、研究員王軍喜共同主持分會。

屆時(shí)，將有日本三重大學(xué)教授三宅秀人，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授陸海，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌，廈門大學(xué)副教授尹君，北京大學(xué)物理學(xué)院長江特聘教授許福軍，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授孫海定，南京大學(xué)助理教授蔡青，麻省光子技術(shù)（香港）有限公司研究科學(xué)家Muhammad Shafa，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所吳涵等多位來自國內(nèi)外科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)代表參與，共同探討氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用的前沿發(fā)展趨勢及最新動向，敬請關(guān)注！?

部分嘉賓簡介

陸海

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授

陸海，南京大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究，取得了多項(xiàng)有國際影響力的成果：制備了世界上電學(xué)特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀(jì)錄），首先生長出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國際權(quán)威研究機(jī)構(gòu)提供了標(biāo)準(zhǔn)InN及富In氮化物樣品；聯(lián)合改寫和修正了多項(xiàng)III族氮化物半導(dǎo)體材料體系的基本參數(shù)，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發(fā)現(xiàn)，藉此將Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域推廣到近紅外光學(xué)波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體的研究與應(yīng)用范疇；首先發(fā)現(xiàn)InN表面強(qiáng)電荷聚集效應(yīng)，藉此研制出InN表面化學(xué)傳感器、InN THz發(fā)射源，獲《Nature》雜志專文報(bào)道；聯(lián)合提出InGaN全光譜多異質(zhì)結(jié)太陽能電池的概念和結(jié)構(gòu)。

近年來重點(diǎn)開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究成果推廣到器件應(yīng)用領(lǐng)域：通過發(fā)展GaN同質(zhì)外延生長技術(shù)，大幅度提高了GaN半導(dǎo)體的晶體質(zhì)量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測器，多次獲得國際主流半導(dǎo)體技術(shù)媒體跟蹤報(bào)道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩(wěn)定工作溫度的世界紀(jì)錄；研制出現(xiàn)有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，并帶領(lǐng)南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)了高靈敏度GaN基紫外探測器的產(chǎn)業(yè)化；在國內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)SiC紫外單光子探測器；研究和澄清了GaN基功率器件和發(fā)光二極管的幾個基礎(chǔ)器件物理問題，發(fā)展了多種新型的器件測試表征方法。迄今已發(fā)表學(xué)術(shù)論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發(fā)表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項(xiàng)中國發(fā)明專利和1項(xiàng)美國發(fā)明專利授權(quán)；入選科技部創(chuàng)新人才推進(jìn)計(jì)劃、教育部新世紀(jì)人才計(jì)劃、江蘇省333人才培養(yǎng)計(jì)劃；曾獲江蘇省五四青年獎?wù)拢?013）、江蘇省十大青年科技之星（2014）、教育部技術(shù)發(fā)明一等獎（2015）、國家技術(shù)發(fā)明二等獎（2016）。

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閆建昌

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

閆建昌，中科潞安紫外光電科技有限公司總經(jīng)理，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、博士生導(dǎo)師，國家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年基金獲得者，CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年，中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會優(yōu)秀會員，山西省“三晉英才”支持計(jì)劃高端領(lǐng)軍人才，北京市科技新星計(jì)劃入選者，中國光學(xué)工程學(xué)會高級會員。清華大學(xué)電子工程系學(xué)士學(xué)位，中科院半導(dǎo)體所博士，法國巴黎第十一大學(xué)訪問學(xué)者。長期從事氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導(dǎo)體紫外發(fā)光二極管（UV LED）領(lǐng)域十余年，負(fù)責(zé)國家863計(jì)劃、自然科學(xué)基金、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等多項(xiàng)國家級科研項(xiàng)目，取得了具有國際影響力的研究成果。獲北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎、國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎、金磚國家青年創(chuàng)新獎二等獎。

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尹君

廈門大學(xué)副教授

尹君，工學(xué)博士，主要研究方向?yàn)槟茉崔D(zhuǎn)換相關(guān)的光電子材料與相關(guān)器件，涉及微米納米結(jié)構(gòu)制備及在半導(dǎo)體材料光電行為操控上的應(yīng)用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態(tài)鈣鈦礦太陽能電池研發(fā)等，近年來已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發(fā)表高水平論文多篇。目前已主持國家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、中國博士后科學(xué)基金面上項(xiàng)目，福建省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，江西省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等多項(xiàng)科研課題，并參與國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目、福建省科技計(jì)劃項(xiàng)目及廈門市科技項(xiàng)目等多項(xiàng)。

許福軍

北京大學(xué)物理學(xué)院長江特聘教授

許福軍，主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導(dǎo)率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達(dá)到國際先進(jìn)水平，并在團(tuán)隊(duì)支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關(guān)鍵技術(shù)，正推動科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐。

近年來，作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)面上基金3項(xiàng)；作為子課題負(fù)責(zé)人參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市科委重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發(fā)明專利10多件。

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孫海定

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授

孫海定，現(xiàn)任中國科大微電子學(xué)院特任教授，博士生導(dǎo)師，iGaN Laboratory實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人。先后入選國家優(yōu)青，省杰青，中科院海外高層次人才計(jì)劃。本科和碩士畢業(yè)于華中科技大學(xué)，師從劉勝院士。博士畢業(yè)于美國波士頓大學(xué)，師從氮化物半導(dǎo)體分子束外延奠基人Theodore D. Moustakas教授。長期致力于寬禁帶III族氮化物（GaN等）和III族氧化物（Ga2O3等）化合物半導(dǎo)體材料MOCVD和MBE外延、光電器件（LED, laser, photodetector等）和電力電子功率器件（高電子遷移率晶體管HEMTs）設(shè)計(jì)與制備研究。同時(shí)開展包括低維材料與器件（納米線，量子點(diǎn)），二維/三維新型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的材料生長、載流子輸運(yùn)特性、光電集成器件與系統(tǒng)研究。

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蔡青

南京大學(xué)助理教授

蔡青，博士生導(dǎo)師，南京大學(xué)毓秀青年學(xué)者。分別于2015年和2020年在南京大學(xué)獲得學(xué)士學(xué)位和博士學(xué)位。研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體光電材料與器件，發(fā)表SCI論文40余篇。獲中國電子學(xué)會優(yōu)秀博士學(xué)位論文、2022年度Light杰出論文獎等。主持/參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)/面上/聯(lián)合基金等項(xiàng)目課題研究。長期擔(dān)任Light-Science&Applications、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Advanced Optical Materials等國際期刊審稿人。

三宅秀人

日本三重大學(xué)教授

Muhammad Shafa

麻省光子技術(shù)（香港）有限公司研究科學(xué)家

Muhammad Nawaz SHARIF

鄭州大學(xué)

分會詳細(xì)日程

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