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漢斯半導體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利,拋光效率高

發表于:2024-10-29 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,漢斯半導體(江蘇)有限公司取得一項名為“一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置”的專利,授權公告號 CN 221871557 U,申請日期為 2024 年 1 月。

專利摘要顯示,本實用新型提供一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置,包括:拋光主體,拋光主體頂部設置有帶動 IGBT 模塊封裝外殼縱向移動的縱向電缸,拋光主體頂部設置有安裝座,安裝座內部設置有拋光輪,安裝座內部設置有用于帶動拋光輪對 IGBT 模塊封裝外殼進行拋光的驅動組件;縱向電缸的移動塊上設置有支撐座,支撐座內部設置有轉動電機,轉動電機的輸出軸上設置有置于支撐座上方的轉盤,轉盤頂部設置有用于放置 IGBT 模塊封裝外殼的定位槽,支撐座頂部對稱設置有一對置于轉盤兩側的第二電動推桿,一對第二電動推桿的伸縮軸上均設置有用于對定位槽內部放置的 IGBT 模塊封裝外殼進行按壓的壓板,本實用新型結構合理,節約時間,拋光效率高。

 

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